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infineon英飞凌TLE4953霍尔效应速度传感器IC芯片元件
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infineon英飞凌TLE4953霍尔效应速度传感器IC芯片元件

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浏览量:563 上传更新:2019-04-29
infineon英飞凌TLE4953霍尔效应速度传感器IC芯片元件

infineon英飞凌TLE4953差分霍尔效应速度传感器IC芯片元件

差分霍尔效应传感器TLE4953旨在为现代变速器和ABS系统提供有关转速和旋转方向的信息。 输出已基于脉冲宽度调制原理设计为两线电流接口。 该传感器无需外部组件即可运行,并具有快速的上电时间和宽频率范围。 宽温度范围,高ESD鲁棒性和高EMC弹性可满足苛刻的汽车要求,因此具有出色的精度和灵敏度。 最新的BiCMOS技术用于有源传感器区域和信号调理的单片集成。 最后,优化的压电补偿和集成的动态失调补偿可轻松制造并消除磁失调。 自适应磁滞概念提高了抗噪能力。 TLE4953C还提供了一个过模制的1.8 nF电容器,以改善EMI性能。

TLE4953特征

•两线制PWM电流接口

•检测旋转方向

•动态自校准原理和高灵敏度

•自适应磁滞

•单芯片解决方案-无需外部组件

•校准模式下的振动抑制

•可以进行南极和北极预感应

•高抗压电效应

•大的操作间隙

•宽工作温度范围

•从零速度到12 kHz

•1.8 nF超模压电容器

•用于粗传动轮

•模块型封装,带有集成的超模压电容器1)

VDD和GND之间为1.8nF

•符合AEC-Q100

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