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霍尔元件粤科源兴科技有限公司
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霍尔元件粤科源兴科技有限公司

霍尔元件粤科源兴科技有限公司
浏览量:668 上传更新:2019-06-22

霍尔元件由多类型半导体材料制成,如Si、InAsP、InSb、GaAs、InAs、Ge和多层半导体异质结构量子阱材料。

霍尔元件是根据霍尔效应产生的磁性传感器。它们可用于检测磁场及其变化,并可用于各种与磁场有关的情况。

霍尔元件具有结构坚固、体积小、重量轻、寿命长、安装方便、功耗低、频率高(高达1 MHz)、抗振动、不怕粉尘、油污、水蒸气、盐雾污染或腐蚀等优点。

霍尔元件

霍尔线性器件线性好、精度高;霍尔开关器件无磨损、无接触、无抖动、输出波形清晰、无跳动、位置重复精度高(达到微米级)。霍尔元件使用多种补偿保护措施,霍尔装置工作温度范围广泛,可达负55~150℃。

霍尔势差UH的基本关系是[1]。

UH=RHIB/d (18)

rh=1/nq(金属)(19)

式中 RH——霍尔系数:

q——电子电量;

I——通过的电流;

B——垂直于I的磁感应强度;

d——导体的厚度。

n——单位体积载流子数(空穴和自由电子)

由于带电导线周围有磁场,其大小与导线中的电流成正比。霍尔元件优点是不与被测电路接触,不消耗被测电源的功率,不影响被测电路不,特别适用于大电流传感。

利用这方法制造霍尔功率传感器。

霍尔元件

工作原理

霍尔效应指的是磁场作用于半导体中的载流子和载流金属导体时,产生物理现象的横向电位差。1879年,美国物理学家霍尔发现了金属的霍尔效应。金属箔的霍尔效应相比半导体霍尔效应更加明显,而铁磁性金属在居里温度以下表现出很强的霍尔效应。

利用霍尔效应可以制作多种传感器设计和设计。霍尔的电位差关系是:

uh=rhib/d(1)rh=1/nq(金属)(2)

其中,RH-霍尔系数;n-单位体积载流子或自由电子数;q-电子能量;I-电流通过;B-垂直于i的磁感应强度;d-导体厚度。

由于带电导体周围有一个磁场,其大小与导体中的电流成正比,因此可以用霍尔元件测量磁场,并可确定导体的电流。基于此原理,可设计制造霍尔型电流传感器。霍尔元件优点是不与被测电路电接触,不消耗被测电源的功率,不影响被测电路,特别适用于大电流传感。

如果将霍尔元件置于电场强度E和磁场强度H的电磁场中,元件中会产生电流I。元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度e成正比,如果再次测量电磁场的磁场强度,则电磁场的瞬时功率密度p可由p=eh确定。

如果霍尔元件集成开关按预定位置在物体上定时设置,则当安装在运动物体上的永磁体通过时,可从测量电路测量脉冲信号。运动物体的位移可以根据脉冲信号序列来测量。如果测量每单位时间发出的脉冲数,就可以确定其速度。

霍尔元件

根据“497”元件的功能,可分为“497”线性器件和“497”开关器件。“497”线性器件输出模拟,497”开关器件输出数字。

霍尔元件根据被检测对象的性质,将其应用分为间接应用和直接应用。直接应用是直接检测被测物本身的磁场或磁特性,间接应用是检测被测物上人为设置的磁场。磁场作为检测信息的载体。通过它可以获得许多非电和非磁物理量,如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转速和功。状态变化的时间等,被转换成电来检测和控制。

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