分类栏目

    汽车方向盘GMR(巨磁电阻)霍尔效应位置传感器ic芯片元件-粤科源兴科技

    2020-07-07 10:34:04 2581

    汽车方向盘GMR(巨磁电阻)霍尔效应位置传感器ic芯片元件

    随着能源危机和环境污染的加剧 ,电动汽车日益受到关注。轮式驱动电动汽车各轮毂电机独立驱动 ,能够灵活分配各驱动轮的转矩 ,弥补了传统汽车驱动轮转矩分配难的缺点 ,在车身稳定性等底盘控制方面更具有优势。因此 , 如何协调控制驱动轮的转矩分配 ,成为轮式驱动电动汽车 研究的热点。实际上 ,方向盘角度的获取是转矩分配的关键之一 ,对其基本要求是 :体积小、成本低、 可靠性高、精度合理。传统的角度传感器有电位器式、光电式、磁电式、霍尔式等,这些传感器或体积大、成本高 ,或运行不可靠 ,而且都只能检测一周的角度 ,而汽车方向盘行程为正反两周。一种基于GMR的非接触式四周绝对角位置传感器,该传感器具有体积小、成本低、运行可靠、精度合理等优点。

    汽车方向盘位置传感器ic

    巨磁电阻是继霍尔(HALL)效应和各向异性磁阻(AMR)效应后的一种新型的磁传感器。TLE5012是德国英飞凌公司生产的集成巨磁电阻芯片 ,它可 以检测出外部磁场方向在360°内的角度值。 TLE5012内部集成了2个惠斯通电桥 ,每只电桥上有4只 GMR元件 ,每只GMR的电阻值会随 X 轴或 Y轴方向 磁场的变化而变化 ,如图 1所示。当外部磁场源在芯片正上方旋转 ,且磁场方向与X轴的夹角为φ时 , X桥上将产生一路余弦信号 Am cosφ, Y桥上产生一路正弦信号 Am sinφ, 其中Am为两路信号的幅值 ,通过计算这两路信号的反正切值,并判别两路信号的正负号,就能得到磁场源的磁场方向φ。

    网站首页
    产品展示
    新闻资讯
    在线留言