TI美国德州仪器DRV411闭环电流传感器信号调理霍尔效应传感器ic芯片元件

TI美国德州仪器DRV411闭环电流传感器信号调理霍尔效应传感器ic芯片元件

TI美国德州仪器DRV411闭环电流传感器上用来调节InSb锑化铟霍尔元件的传感器信号调节集成电路 (IC)。DRV411 为霍尔芯片ic元件提供精密激发电路,能够有效消除霍尔芯片ic元件的漂移和偏移。DRV411还提供-一个250mAH桥来驱动传感器进行补偿线圈,以及对于一个国家精密差分放大器来生成数据输出电压信号。与传统的单端驱动方法相比,H 桥 250mA 的驱动容量几乎是当前测量范围的两倍。霍尔传感器进行前端电路和差分放大器可以采用已获专利的偏移消除信息技术。这些技术,加上高精度的电压基准,极大地提高了整个电流传感器模块的精度。可通过引脚选择输出电压以在由5V电源供电时支持- -个 2.5V输出,以及用于3.3V传感器的1.65V输出。为了实现高性能散热,DRV411 采用一个具有PowerPad的耐热以及增强型4mmx4mmQFN和TSSOP-20封装。drv411可以在从-40℃到125℃的完全扩展的工业温度范围内运行。

DRV411特性

●针对对称霍尔元件进行了优化

(例如,AKM HW-322, HW-302,或相似作用元件)

旋转电流霍尔传感器激发

-霍尔传感器偏移和漂移的消除

1/f噪声的消除

●扩展电流测量范围

- H桥驱动能力: 250mA

●精密差分放大器:

-偏移和漂移: 100μV (最大值),2μVI/°C (最大值)

系统带宽: 200kHz

●精密基准:

-精度: 0.2% (最大值)

-漂移: 50ppm/°C (最大值)

-可针对2.5V, 1.65V和比例模式选择引脚

●超限和错误标志

●电源: 2.7V至5.5V

●封装: 4mm x 4mm四方扁平无引线封装(QFN)

和薄型小尺寸封装(TSSOP)-20 PowerPADTM

●温度范围: -40°C至+125°C

DRV411应用范围

●闭环电流传感器模块

●直流和交流电流测量

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