AKM旭化成EW612B霍尔效应集成电路(锁存)


AKM旭化成EW-612B是采用我们自己的组装技术的InSb高灵敏度霍尔元件和波形整形IC的混合体。 由于使用了高灵敏度的InSb霍尔元件,因此可以在较宽的温度范围内获得具有良好占空比的TTL电平数字信号。包装中提供了3000根/卷的编带卷轴。

双极  电源电圧3~26.4V 霍尔元件始终驱动 高感度Bop:3mT  输出类型带上拉电阻  薄型表面贴装封装


技术指标

零件号EW612B
类型锁存器
电源电压(最小值)[V]3
电源电压(典型值)[V]12
电源电压(最大值)[V]26.4
灵敏度波普[mT]3
灵敏度Brp [mT]-3
输出级带上拉电阻
电流消耗(典型值)[mA]5
消耗电流(最大值)[mA]6
驱动系统连续
其他
工作温度[℃]-40至115
设备包装
针数3

产品信息

零件状态MP
无铅
无卤素没有
MSLMSL1
打包
JEDEC标准包装不合规
最小订购量[件]
建议订购数量1 [个]
建议订购数量2 [个]
标准包装数量[件]3000
网站首页
产品展示
新闻资讯
在线留言