AKM旭化成EW412B霍尔效应集成电路(锁存)

AKM旭化成EW-412B是采用InSb高灵敏度霍尔元件和波形整形IC的混合体。 由于使用了高灵敏度的InSb霍尔元件,因此可以在较宽的温度范围内获得具有良好占空比的TTL电平数字信号。包装随附5000盘/卷盘。

双极 电源电圧3~26.4V 霍尔元件始终驱动  高感度Bop:3mT  输出类型带上拉电阻  表面贴装型封装

技术指标

零件号EW412B
类型锁存器
电源电压(最小值)[V]3
电源电压(典型值)[V]12
电源电压(最大值)[V]26.4
灵敏度波普[mT]3
灵敏度Brp [mT]-3
输出级带上拉电阻
电流消耗(典型值)[mA]5
消耗电流(最大值)[mA]6
驱动系统连续
其他
工作温度[℃]-40至115
设备包装
针数3

产品信息

零件状态MP
无铅
无卤素没有
MSL
打包
JEDEC标准包装不合规
最小订购量[件]
建议订购数量1 [个]
建议订购数量2 [个]
标准包装数量[件]5000
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